|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs
Г. С. Димитриевa, В. Ф. Сапегаa, Н. С. Аверкиевa, И. Е. Панайоттиa, K. H. Ploogb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany
Аннотация:
Исследовано влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структуре с квантовыми ямами ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As. Показано, что спиновая поляризация дырок в примесной зоне определяется, скорее, магнитными свойствами самого GaMnAs, а не эффектом размерного квантования. Развита модель акцептора Mn в квантовой яме, описывающая поляризационные характеристики фотолюминесценции в квантовых ямах GaAs:Mn/AlAs. Экспериментальные данные и теоретический анализ продемонстрировали, что спиновая поляризация дырок в квантовых ямах (Ga,Mn)As/AlAs может быть объяснена в модели, предполагающей, что дырки локализованы в примесной зоне.
Поступила в редакцию: 03.04.2017
Образец цитирования:
Г. С. Димитриев, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, И. Е. Панайотти, K. H. Ploog, “Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2240–2245; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2262–2267
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9408 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i11/p2240
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 10 |
|