Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 8, страницы 1556–1565
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46242.22Gr (Mi ftt9104) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Международная школа-семинар ''Экситоны в кристаллах и полупроводниковых наноструктурах'', посвященная 120-летию со дня рождения Е. Ф. Гросса, Санкт-Петербург 10-12 октября 2017 года
Полупроводники

Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

Г. С. Димитриевa, И. В. Крайновab, В. Ф. Сапегаa, Н. С. Аверкиевa, J. Debusc, E. Lähderantab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
c Experimentelle Physik II, Universität Dortmund
PDF полного текста (247 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46242.22Gr
Аннотация: Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn$^{2+}$ и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Исследованы спектры непругого рассеяния света с переворотом спина при резонансном возбуждении экситона, связанного на акцепторе Mn. Измерены $g$-факторы основного $F$ = 1 и первого возбужденного $F$ = 2 состояний, описаны правила оптических переходов между состояниями акцептора. Определена величина случайного поля (деформации или электрического поля), действующего на акцептор марганца, и деформационный потенциал для константы обменного взаимодействия комплекса Mn$^{2+}$ + дыркa. Развита теоретическая модель, учитывающая влияние случайного поля деформации, внешней одноосной деформации и магнитного поля. Предложенная модель хорошо описывает линии неупругого рассеяния света с переворотом спина акцептора Mn.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-52-12017 ННИО-а
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Z50.31.0021
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 5
Работа поддержана грантом РФФИ № 15-52-12017 ННИО-а и грантом Правительства РФ (договор № 14.Z50.31.0021, 07.04.2014-31.12.2018) и программой Президиума РАН № 5 “Электронный спиновый резонанс, спин-зависящие электронные эффекты и спиновые технологии”.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2018, Volume 60, Issue 8, Pages 1568–1577
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341808005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. С. Димитриев, И. В. Крайнов, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, J. Debus, E. Lähderanta, “Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1556–1565; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1568–1577
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DimKraSap18}
\by Г.~С.~Димитриев, И.~В.~Крайнов, В.~Ф.~Сапега, Н.~С.~Аверкиев, J.~Debus, E.~L\"ahderanta
\paper Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn
\jour Физика твердого тела
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1556--1565
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9104}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2018.08.46242.22Gr}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269516}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2018
\vol 60
\issue 8
\pages 1568--1577
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341808005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9104
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i8/p1556
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024