Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)

Описана модель акцептора Mn$_{Ga}$ в GaAs, в которой $\Gamma_{8}$ исходное основное состояние связанной дырки изменяется из-за антиферромагнитного обменного взаимодействия с пятью 3$d$-электронами остова Mn. Рассмотрены энергетический спектр акцептора и волновые функции его состояний, а также их изменение под влиянием деформаций, электрических и магнитных полей. Приведены выражения для описания различных свойств изолированных акцепторов Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs, и проанализированы данные ряда экспериментов (изменение спектров и поляризации люминесценции и поглощения Mn$_{\operatorname{Ga}}^{0}$ при одноосных давлениях и в магнитном поле, спектры ЭПР, температурная зависимость магнитной восприимчивости, циркулярная поляризация фотолюминесценции при возбуждении поляризованным светом в магнитном поле и др.). Продемонстрировано, что в некоторых случаях необходимо учитывать существование в кристалле случайных электрических и деформационных полей, расщепляющих состояния акцептора. Результаты этого анализа показывают, что указанная модель хорошо согласуется c большинством экспериментальных результатов. Величина константы обменного взаимодействия лежит в диапазоне 3–5 meV.