|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, Н. К. Вдовичева, В. И. Шашкин, “Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1944–1950   ; A. N. Reznik, N. V. Vostokov, N. K. Vdovicheva, V. I. Shashkin, “Microwave volt–impedance spectroscopy of semiconductors”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1859–1865 |
1
|
| 2. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 865–867 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 |
2
|
| 3. |
П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858 ; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050 |
| 4. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
5
|
| 6. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
| 7. |
Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314 ; N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281 |
| 8. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1229–1232 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 |
3
|
| 9. |
П. В. Волков, Н. В. Востоков, А. В. Горюнов, Л. М. Кукин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. И. Шашкин, “Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 56–58 ; P. V. Volkov, N. V. Vostokov, A. V. Goryunov, L. M. Kukin, V. Parshin, E. A. Serov, V. I. Shashkin, “Detectors based on low-barrier mott diodes and their characteristics in the 150–250 GHz range”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 239–241 |
5
|
|
2018 |
| 10. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1362–1365 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 |
1
|
| 11. |
П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1321–1325 ; P. A. Yunin, P. V. Volkov, Yu. N. Drozdov, A. V. Koliadin, S. A. Korolev, D. B. Radishev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Study of the structural and morphological properties of HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436 |
6
|
|
2017 |
| 12. |
С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753 ; S. Korolev, N. V. Vostokov, N. V. D'yakonova, V. I. Shashkin, “Influence of the channel–gate barrier height on the detection properties of a field-effect transistor in the microwave and terahertz ranges”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 765–772 |
1
|
| 13. |
А. В. Мурель, В. Б. Шмагин, В. Л. Крюков, С. С. Стрельченко, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1538–1542 ; A. V. Murel, V. B. Shmagin, V. L. Kryukov, S. S. Strelchenko, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Capacitance spectroscopy of hole traps in high-resistance gallium-arsenide structures grown by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1485–1489 |
1
|
| 14. |
А. И. Охапкин, С. А. Королев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1503–1506 ; A. I. Okhapkin, S. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 |
2
|
| 15. |
E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151 ; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106 |
|
2016 |
| 16. |
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598 ; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 |
2
|
| 17. |
В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1459–1462 ; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 |
3
|
|
2009 |
| 18. |
П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 80–83 ; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75   |
4
|
|
2003 |
| 19. |
А. А. Андронов, М. Н. Дроздов, Д. И. Зинченко, А. А. Мармалюк, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Падалица, А. В. Соснин, А. В. Устинов, В. И. Шашкин, “Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора”, УФН, 173:7 (2003), 780–783 ; A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758 |
17
|
|
1984 |
| 20. |
А. А. Игнатов, В. И. Шашкин, “Коэффициент диффузии разогретых носителей, спектр волн пространственного заряда и характерные частоты неустойчивости
в полупроводниковых сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 721–724 |
|
|
|
2018 |
| 21. |
А. В. Гапонов, Г. Г. Денисов, А. Г. Забродский, А. Г. Литвак, Е. А. Мареев, Н. Н. Салащенко, А. М. Сергеев, Р. А. Сурис, Е. А. Хазанов, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, В. В. Курин, А. А. Фраерман, Н. И. Чхало, В. И. Шашкин, “Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 285–286 |
|
Обратная связь: