Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1595–1598 (Mi phts6276)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором

Е. А. Суровегинаa, Е. В. Демидовa, М. Н. Дроздовa, А. В. Мурельa, О. И. Хрыкинa, В. И. Шашкинa, М. А. Лобаевb, А. М. Горбачевb, А. Л. Вихаревb, С. А. Богдановb, В. А. Исаевb, А. Б. Мучниковb, В. В. Черновb, Д. Б. Радищевb, Д. Е. Батлерb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (297 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитаксиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5 $\cdot$ 10$^{17}$ до $\sim$10$^{20}$ ат/см$^{3}$ и $\delta$-легирования с поверхностной концентрацией (0.3–5) $\cdot$ 10$^{13}$ ат/см$^{2}$. Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1569–1573
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120204
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598; Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SurDemDro16}
\by Е.~А.~Суровегина, Е.~В.~Демидов, М.~Н.~Дроздов, А.~В.~Мурель, О.~И.~Хрыкин, В.~И.~Шашкин, М.~А.~Лобаев, А.~М.~Горбачев, А.~Л.~Вихарев, С.~А.~Богданов, В.~А.~Исаев, А.~Б.~Мучников, В.~В.~Чернов, Д.~Б.~Радищев, Д.~Е.~Батлер
\paper Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1595--1598
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6276}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369056}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1569--1573
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6276
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1595
    Исправления
    Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024