Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников

Предложенный ранее авторами метод микроволновой вольт-импедансной спектроскопии полупроводников апробирован в эксперименте. Метод позволяет определить локальные значения электрофизических параметров полупроводника. Исследования выполнены на однородной монокристаллической пластине GaAs, поверх которой сформирована система концентрических антенн. Разрешающая способность определяется диаметром центрального диска антенны, который составлял 12, 27, 57 $\mu$m. Постоянное напряжение смещения 0 $\le U\le$ 5 V прикладывалось между контактными площадками антенн. Спектр комплексного импеданса каждой антенны $Z(f,U)$ измерялся при помощи зондовой станции Cascade Microtech в диапазоне частот $f$ = 0.1–10 GHz. Электрофизические характеристики полупроводника определялись по спектрам $Z(f,U)$ путем решения обратной задачи. Установлен $n$-тип полупроводника и определена контактная разность потенциалов на границе с металлом. Найдены локальные значения концентрации и подвижности электронов, удельной электропроводности. Измерения средних по поверхности значений этих же параметров холловским четырехзондовым методом показали хорошее взаимное соответствие результатов для исследованной однородной пластины.