|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельная электроника
Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
С. А. Королевa, Н. В. Востоковab, Н. В. Дьяконоваc, В. И. Шашкинab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Université Montpellier II, Montpellier, France
Аннотация:
Теоретически исследованы детектирующие свойства полевого транзистора с пониженной высотой барьера Шоттки затвора. Рассмотрены различные схемы детектора. Найдены распределения напряжения и тока вдоль канала, входной импеданс транзистора, чувствительность и мощность эквивалентная шуму (NEP). Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки затвора на перечисленные характеристики.
Поступила в редакцию: 28.03.2016 Исправленный вариант: 03.10.2016
Образец цитирования:
С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753; Tech. Phys., 62:5 (2017), 765–772
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6238 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i5/p746
|
|