|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988   |
| 2. |
А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, И. В. Самарцев, П. А. Юнин, В. Г. Шенгуров, А. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, “Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40 ; A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 |
3
|
| 5. |
В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738 |
|
2017 |
| 6. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 |
1
|
| 7. |
М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Рыков, Ю. М. Кузнецов, “Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2135–2141 ; M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 |
5
|
| 8. |
М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544 ; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 |
4
|
| 9. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
| 10. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 |
4
|
| 11. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 |
5
|
|
2016 |
| 12. |
А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, “Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 3–8 ; A. V. Rykov, M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, “Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 50:1 (2016), 1–7 |
2
|
|
Обратная связь: