|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Р. В. Левин, А. С. Власов, Б. В. Пушный, “Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 932–936   ; R. V. Levin, A. S. Vlasov, B. V. Pushnii, “Silicon-doped GaSb grown by MOVPE in a wide range of the V/III ratio”, Semiconductors, 55:11 (2021), 850–854 |
| 2. |
А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, А. С. Власов, Б. В. Пушный, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, “Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 52–54 |
|
2020 |
| 3. |
Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный, “Выглаживание поверхности антимонида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 48–50 ; R. V. Levin, I. V. Fedorov, A. S. Vlasov, P. N. Brunkov, B. V. Pushnii, “Smoothing the surface of gallium antimonide”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1203–1205 |
|
2019 |
| 4. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 |
2
|
| 5. |
Р. В. Левин, А. С. Власов, А. Н. Смирнов, Б. В. Пушный, “Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1599–1603 ; R. V. Levin, A. S. Vlasov, A. N. Smirnov, B. V. Pushnii, “High-resistivity gallium antimonide produced by metal–organic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1563–1567 |
1
|
| 6. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 7. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
| 8. |
А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15 ; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 |
3
|
|
2018 |
| 9. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
9
|
| 10. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 |
3
|
| 11. |
A. M. Mintairov, J. L. Merz, J. Kapaldo, A. S. Vlasov, S. A. Blundell, “Wigner localization and whispering gallery modes of electrons in quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 478 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 502–506 |
2
|
| 12. |
D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, A. S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I. V. Mukhin, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. Yu. Romanova, P. A. Buryak, A. M. Mintairov, “Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 477 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 497–501 |
2
|
|
2017 |
| 13. |
Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1066–1070 ; D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086 |
| 14. |
А. С. Власов, А. Б. Синани, “Модельный расчет высокоскоростного соударения тел различной формы с массивными металлическими преградами”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1033–1039 ; A. S. Vlasov, A. B. Sinani, “Model calculating high-speed collisions between bodies with different shapes and massive metallic obstacles”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1049–1055 |
4
|
| 15. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов, “Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, A. B. Smirnov, “Formation of a $p$-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters”, Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671 |
1
|
| 16. |
А. С. Власов, Л. Б. Карлина, Ф. Э. Комисаренко, А. В. Анкудинов, “Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 611–614 ; A. S. Vlasov, L. B. Karlina, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Modification of the surface of GaAs and observation of surface enhanced Raman scattering after the diffusion of indium”, Semiconductors, 51:5 (2017), 582–585 |
1
|
|
2016 |
| 17. |
А. Б. Синани, В. В. Шпейзман, А. С. Власов, Е. Л. Зильбербранд, А. И. Козачук, “Высокоскоростное деформирование нанокристаллических железа и меди”, ЖТФ, 86:11 (2016), 70–74 ; A. B. Sinani, V. V. Shpeyzman, A. S. Vlasov, E. L. Zilberbrand, A. I. Kozachuk, “High-rate deformation of nanocrystalline iron and copper”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1674–1678 |
|
Обратная связь: