Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1647–1650
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46881.8942
(Mi phts5643)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп

В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Разработаны и изготовлены источники электропитания на основе фотоэлектрических преобразователей и радиолюминесцентных тритиевых ламп с голубым и зеленым свечением. Методом низкотемпературной эпитаксии из жидкой фазы получены гетероструктуры $(p-n)$ Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с различными значениями ширины запрещенной зоны ($E_{g}$ = 1.4–1.9 эВ) и составом активной области ($x$ = 0.1–0.35). Фотоэлектрический преобразователь площадью $S$ = 0.12 см$^{2}$ при облучении зеленой тритиевой лампой (длина волны $\lambda$ = 550 нм) характеризуется плотностью тока короткого замыкания 180 нA/cм$^{2}$ и выходной электрической мощностью $>$ 100 нВт/cм$^{2}$.
Поступила в редакцию: 25.06.2018
Принята в печать: 06.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1754–1757
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650; Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhvKalSor18}
\by В.~П.~Хвостиков, В.~С.~Калиновский, С.~В.~Сорокина, М.~З.~Шварц, Н.~С.~Потапович, О.~А.~Хвостикова, А.~С.~Власов, В.~М.~Андреев
\paper Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1647--1650
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5643}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46881.8942}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903668}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1754--1757
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5643
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1647
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024