|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Разработаны и изготовлены источники электропитания на основе фотоэлектрических преобразователей и радиолюминесцентных тритиевых ламп с голубым и зеленым свечением. Методом низкотемпературной эпитаксии из жидкой фазы получены гетероструктуры
$(p-n)$ Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с различными значениями ширины запрещенной зоны ($E_{g}$ = 1.4–1.9 эВ) и составом активной области ($x$ = 0.1–0.35). Фотоэлектрический преобразователь площадью $S$ = 0.12 см$^{2}$ при облучении зеленой тритиевой лампой (длина волны $\lambda$ = 550 нм) характеризуется плотностью тока короткого замыкания 180 нA/cм$^{2}$ и выходной электрической мощностью $>$ 100 нВт/cм$^{2}$.
Поступила в редакцию: 25.06.2018 Принята в печать: 06.07.2018
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650; Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5643 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1647
|
|