|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
А. С. Власовa, Л. Б. Карлинаa, Ф. Э. Комисаренкоbc, А. В. Анкудиновab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований поверхности GaAs в присутствии сурфактантов индия и фосфора. Показано, что в результате их диффузии (отжига) при температуре 650–670$^\circ$C в приповерхностной области GaAs образуются кластеры, обогащенные индием. Кластеры проявляются в виде светлых пятен в изображении, полученном с помощью внутрилинзового детектора на сканирующем электронном микроскопе. В то же время исследования морфологии этой поверхности с помощью атомно-силового микроскопа обнаружили уменьшение значения среднеквадратичной шероховатости поверхности после процесса отжига (диффузии), что указывает на внедрение атомов индия в кристаллическую решетку GaAs. Кластеры ответственны за изменения в спектрах рамановского рассеяния: наблюдаются увеличение интенсивности сигнала, вызванное эффектом поверхностно-усиленного (гигантского) рамановского рассеяния, и сдвиг частоты колебаний в приповерхностной области. Обнаружено, что эффект формирования кластеров обусловлен как кристаллографической ориентацией поверхности, так и технологическими условиями ее подготовки.
Поступила в редакцию: 17.11.2016 Принята в печать: 21.11.2016
Образец цитирования:
А. С. Власов, Л. Б. Карлина, Ф. Э. Комисаренко, А. В. Анкудинов, “Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 611–614; Semiconductors, 51:5 (2017), 582–585
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6154 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p611
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 25 | PDF полного текста: | 10 |
|