Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Тарасова Елена Александровна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 11
Научных статей: 11

Статистика просмотров:
Эта страница:82
Страницы публикаций:572
Полные тексты:292
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person183260
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, O. L. Golikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, “Analysis of the effect of spacer layers on nonlinear distortions of the current–voltage characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs”, Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898 2
2. Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849  mathnet  elib; E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, E. S. Semyonovykh, S. V. Khazanova, S. V. Obolensky, “Experimental studies of modification of the characteristics of GaAs structures with Schottky contacts after exposure to fast neutrons”, Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906 1
3. А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747  mathnet  elib; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784
4. А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54  mathnet  elib; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 1
5. С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  38–41  mathnet  elib; S. V. Obolensky, E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, “A comprehensive study of radiation defect clusters in GaAs structures after neutron irradiation”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251 3
2020
6. Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 6
2018
7. М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, “Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1414–1420  mathnet  elib; M. M. Venediktov, E. A. Tarasova, A. D. Bozhen'kina, S. V. Obolensky, V. V. Elesin, G. V. Chukov, I. O. Metelkin, M. A. Krevskiy, D. I. Dyukov, A. G. Fefelov, “Analysis of the behavior of nonequilibrium semiconductor structures and microwave transistors during and after pulsed $\gamma$- and $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1518–1524 3
2017
8. Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, О. Е. Галкин, A. B. Хананова, А. Б. Макаров, “Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1543–1546  mathnet  elib; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, O. E. Galkin, A. V. Hananova, A. B. Makarov, “Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1490–1494 3
2016
9. Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1605–1609  mathnet  elib; E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, A. Yu. Churin, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Microwave-signal generation in a planar Gunn diode with radiation exposure taken into account”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1579–1583 1
10. Е. А. Тарасова, Е. С. Оболенская, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Неженцев, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Г. В. Медведев, “Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604  mathnet  elib; E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 5
11. Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338  mathnet  elib; E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, Yu. N. Sveshnikov, V. I. Egorkin, V. A. Ivanov, G. V. Medvedev, D. S. Smotrin, “Study of the electron distribution in GaN and GaAs after $\gamma$-neutron irradiation”, Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333 6

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024