|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, “Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 872–876   ; E. A. Tarasova, S. V. Khazanova, O. L. Golikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, “Analysis of the effect of spacer layers on nonlinear distortions of the current–voltage characteristics of GaAlAs/InGaAs pHEMTs”, Semiconductors, 55:12 (2021), 895–898 |
2
|
| 2. |
Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 846–849 ; E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, E. S. Semyonovykh, S. V. Khazanova, S. V. Obolensky, “Experimental studies of modification of the characteristics of GaAs structures with Schottky contacts after exposure to fast neutrons”, Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906 |
| 3. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
| 4. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 |
1
|
| 5. |
С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, “Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 38–41 ; S. V. Obolensky, E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, “A comprehensive study of radiation defect clusters in GaAs structures after neutron irradiation”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 248–251 |
2
|
|
2020 |
| 6. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973 ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 |
5
|
| 7. |
И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 945–951 ; I. Yu. Zabavichev, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Impact of the potential of scattering at radiation-induced defects on carrier transport in GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1134–1140 |
| 8. |
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 791–795 ; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “On heating and relaxation of the electron–hole-gas energy in the track of a primary recoil atom”, Semiconductors, 54:8 (2020), 946–950 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1391–1394 ; T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1353–1356 |
| 10. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1279–1284 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1249–1254 |
5
|
| 11. |
А. С. Пузанов, М. М. Венедиктов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1250–1256 ; A. S. Puzanov, M. M. Venediktov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1222–1228 |
2
|
|
2018 |
| 12. |
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео–Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1295–1299 ; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift Cattaneo–Vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1407–1411 |
7
|
|
2017 |
| 13. |
И. Ю. Забавичев, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1520–1524 ; I. Yu. Zabavichev, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1466–1471 |
2
|
| 14. |
И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492 ; I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1435–1438 |
4
|
|
2016 |
| 15. |
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1706–1712 ; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1678–1683 |
3
|
|
Обратная связь: