|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1248–1254   |
1
|
| 2. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, М. В. Меш, Д. С. Колоколов, “Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 365–372 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, M. V. Mesh, D. S. Kolokolov, “Application of atomic layer deposition for obtaining nanostructured ITO/Al$_{2}$O$_{3}$ coatings”, Semiconductors, 55:4 (2021), 438–445 |
6
|
| 3. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Combination of reactive-ion etching and chemical etching as a method for optimizing the surface relief on AlGaInN heterostructures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314 |
1
|
| 5. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 564–569 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Modification of the $n$-surface profile of AlGaInN LEDs by changing the gas-mixture composition during reactive ion etching”, Semiconductors, 54:6 (2020), 672–676 |
2
|
|
2019 |
| 6. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 |
2
|
| 7. |
Л. К. Марков, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, Г. В. Иткинсон, О. В. Осипов, “Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1562–1567 ; L. K. Markov, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, G. V. Itkinson, O. V. Osipov, “High-voltage alingan LED chips”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1529–1534 |
| 8. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1052–1057 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, “Nanostructured ITO/SiO$_{2}$ coatings”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1033–1037 |
1
|
| 9. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 181–189 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, “Technique for the formation of antireflection coatings based on ITO films”, Semiconductors, 53:2 (2019), 172–179 |
8
|
|
2018 |
| 10. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов, “Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, B. Ya. Ber, A. B. Smirnov, “Nanostructure growth in the Ga(In)AsP–GaAs system under quasi-equilibrium conditions”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1363–1368 |
3
|
|
2016 |
| 11. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Technique for forming ITO films with a controlled refractive index”, Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988 |
7
|
|
Обратная связь: