Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 181–189
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47096.8940
(Mi phts5584)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Рассмотрен способ создания прозрачных проводящих пленок оксида индия и олова для применений, предполагающих большие значения плотностей токов. Такие пленки должны сочетать в себе хорошую поверхностную проводимость с повышенным коэффициентом пропускания излучения в широком диапазоне длин волн. Предлагается двустадийный процесс создания покрытий: на первом этапе формируется плотная пленка оксида индия и олова с хорошей электрической проводимостью, а в дальнейшем наносится дополнительный просветляющий слой этого же материала. Исследовались возможные способы оптимизации свойств таких, дополнительных, пленок оксида индия и олова, полученных путем создания наноструктурированных самоорганизующихся покрытий на поверхности плотных пленок. Показано, что наилучший вывод света в широком диапазоне длин волн обеспечивает метод комбинированного нанесения пленок, заключающийся в создании самоорганизующихся наноструктурированных покрытий методом электронно-лучевого испарения на горячую подложку и дальнейшем заращивании пустот методом магнетронного распыления при комнатной температуре. Поскольку оптические свойства получаемых просветляющих покрытий зависят от соотношения масс вещества, осаждаемых на каждой стадии их нанесения, метод позволяет оптимизировать свойства пленок, исходя из задач, поставленных сферой их применения. Компьютерное моделирование характера распределения материала в структуре исследованных покрытий подтверждает способность метода комбинированного нанесения пленок создавать наиболее плавный характер изменения эффективного показателя преломления в структуре покрытия, приводящий к максимальному выводу света оптического диапазона.
Поступила в редакцию: 19.06.2018
Исправленный вариант: 02.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 172–179
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020167
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 181–189; Semiconductors, 53:2 (2019), 172–179
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarPavSmi19}
\by Л.~К.~Марков, А.~С.~Павлюченко, И.~П.~Смирнова
\paper Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 181--189
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5584}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47096.8940}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476780}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 172--179
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020167}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5584
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p181
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:150
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024