Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении

Исследовалась зависимость рельефа, возникающего на освободившейся после удаления ростовой подложки поверхности светодиодной гетероструктуры, от состава газовой смеси, применявшейся в процессе реактивного ионного травления светодиодных гетероструктур состава AlGaInN. Показано, что использование смеси, состоящей из Cl$_{2}$ и Ar в соотношении 3 : 2 по скорости потоков приводит к наиболее тонкому рельефу, а газовая смесь BCl$_{3}$ и Ar в соотношении 2 : 1 обеспечивает наибольшие по размеру элементы структуры. Для изучения влияния характера рельефа на квантовый выход светодиодов были изготовлены серии флип-чип светодиодов на кремниевой подложке, которые после удаления ростовой подложки подвергались травлению в разных режимах. Оптимальным для достижения максимального вывода излучения из светодиодного кристалла с длиной волны собственного излучения 460 нм оказалось травление в смеси Cl$_{2}$ : BCl$_{3}$ : Ar в соотношении потоков 6 : 10 : 11, приводящее к промежуточным значениям размеров элементов рельефа травления. Изменение характера рельефа в зависимости от состава газовой смеси дает основания предполагать возможность подстройки параметров рельефа под используемую длину волну излучения. Изучение зависимости квантового выхода светодиодных кристаллов от времени травления в рассмотренной трехкомпонентной смеси приводит к оценке оптимального времени травления в районе 30 мин. Результаты настоящей работы могут быть полезны также при поиске условий минимизации отражения кристаллом падающего излучения, например, для фотоприемников.