Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1052–1057
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47994.9135
(Mi phts5428)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: В настоящей работе изучалось влияние слоя SiO$_{2}$, нанесенного на наноструктурированные прозрачные проводящие пленки оксида индия и олова (ITO), на их оптические характеристики. Для этого на образцы с пленками ITO, содержащими нитевидные кристаллы преимущественно вертикальной ориентации и обладающими монотонно убывающим эффективным показателем преломления, наносили слои SiO$_{2}$ различной толщины методом магнетронного распыления. Показано, что при условии равномерного заращивания нитей ITO слоем SiO$_{2}$ становится возможным достичь заметного просветления покрытия. Исследовалось также влияние слоя SiO$_{2}$ на оптические характеристики плотной, неструктурированной пленки ITO. Проведено сравнение полученных результатов для структурированного и неструктурированного покрытия ITO/SiO$_{2}$ с одинаковым массовым содержанием материала. Отмечено, что вследствие склонности материала ITO к деградации в процессе эксплуатации в составе прозрачных проводящих контактов результаты работы могут быть интересны также для создания более стойких к воздействию внешней среды покрытий.
Ключевые слова: прозрачные проводящие оксиды, оптоэлектронные приборы, просветвляющие покрытия, оксид индия и олова, диоксид кремния.
Поступила в редакцию: 10.04.2019
Исправленный вариант: 15.04.2019
Принята в печать: 15.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1033–1037
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1052–1057; Semiconductors, 53:8 (2019), 1033–1037
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarPavSmi19}
\by Л.~К.~Марков, А.~С.~Павлюченко, И.~П.~Смирнова
\paper Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1052--1057
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5428}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47994.9135}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129830}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1033--1037
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5428
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1052
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024