|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций.
Ключевые слова:
нитрид галлия, рельеф, реактивное ионное травление, жидкостное травление, светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл.
Поступила в редакцию: 01.05.2020 Исправленный вариант: 01.05.2020 Принята в печать: 01.05.2020
Образец цитирования:
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111; Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5145 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1106
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 23 |
|