Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1106–1111
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49952.9465
(Mi phts5145)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур

Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций.
Ключевые слова: нитрид галлия, рельеф, реактивное ионное травление, жидкостное травление, светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл.
Поступила в редакцию: 01.05.2020
Исправленный вариант: 01.05.2020
Принята в печать: 01.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1310–1314
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100218
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111; Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarSmiKuk20}
\by Л.~К.~Марков, И.~П.~Смирнова, М.~В.~Кукушкин, А.~С.~Павлюченко
\paper Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1106--1111
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5145}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49952.9465}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041222}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1310--1314
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100218}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5145
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1106
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024