Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 1001–1006 (Mi phts6428)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления

Л. К. Марковa, И. П. Смирноваa, А. С. Павлюченкоa, М. В. Кукушкинab, Д. А. Закгеймa, С. И. Павловa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ЗАО "ЭПИ-ЦЕНТР", Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (550 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Предложен способ создания прозрачных проводящих покрытий на основе оксида индия и олова с контролируемым значением показателя преломления. Способ заключается в последовательном нанесении материала методами электронно-лучевого испарения и магнетронного распыления. Разная плотность получаемых покрытий и соответственно различные значения их показателя преломления достигаются варьированием соотношения массовых долей вещества, наносимого разными методами. В качестве примера продемонстрировано получение пленок с эффективными значениями показателя преломления 1.2, 1.4, 1.7 в диапазоне длин волн 440–460 нм. На основе предложенного метода также созданы двухслойные покрытия ITO с контролируемым значением показателя преломления входящих в них слоев, что открывает возможность получения многослойных прозрачных проводящих покрытий с требуемыми оптическими свойствами.
Поступила в редакцию: 23.12.2015
Принята в печать: 28.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 984–988
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070150
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006; Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarSmiPav16}
\by Л.~К.~Марков, И.~П.~Смирнова, А.~С.~Павлюченко, М.~В.~Кукушкин, Д.~А.~Закгейм, С.~И.~Павлов
\paper Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 1001--1006
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6428}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368951}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 984--988
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070150}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6428
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p1001
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024