|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, “Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 908–911   ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, “Initial stages of growth of semipolar AlN on a nanopatterned Si(100) substrate”, Semiconductors, 55:10 (2021), 812–815 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Formation of semipolar III-nitride layers on patterned Si(100) substrates with a self-forming nanomask”, Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2123–2126 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Plastic relaxation of stressed semipolar AlN(10$\bar1$1) layer synthesized on a nanopatterned Si(100) substrate”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2031–2034 |
3
|
| 4. |
В. Н. Бессолов, Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 29–31 ; V. N. Bessolov, N. D. Gruzinov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, “Vapor-phase epitaxy of AlN layers on AlN/Si(111) templates synthesized by reactive magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 382–384 |
| 5. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 12–14 ; V. N. Bessolov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Hydride vapor-phase epitaxy of a semipolar AlN(10$\bar{1}$2) layer on a nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 59–61 |
7
|
|
2019 |
| 6. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии”, ЖТФ, 89:4 (2019), 574–577 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, S. D. Konenkov, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Synthesis of hexagonal AlN и GaN layers on a Si(100) substrate by chloride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 531–534 |
3
|
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
| 8. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5 |
7
|
|
2018 |
| 9. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
| 10. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 96–103 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Hexagonal AlN layers grown on sulfided Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 81–83 |
6
|
|
2017 |
| 11. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 660–667 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681 |
4
|
|
Обратная связь: