Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2020, том 90, выпуск 12, страницы 2123–2126
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50130.98-20 (Mi jtf5134) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физическое материаловедение

Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке

В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (363 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50130.98-20
Аннотация: Методом растровой электронной микроскопии изучалась пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что в полуполярном AlN-слое применение нанорельефа, состоящего из треугольных наноканавок с наклонными гранями, близкими к плоскости Si(111), может приводить к формированию трещин только в направлении, перпендикулярном канавке. Модельные представления пластической релаксации напряженного полуполярного слоя основываются на сравнении величин порогового напряжения, выше которого возникают трещины, и термомеханических напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов термического расширения AlN/Si-структуры.
Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, релаксация напряженного слоя.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00096
Исследования частично выполнены при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 20-08-00096.
Поступила в редакцию: 25.03.2020
Исправленный вариант: 15.06.2020
Принята в печать: 30.06.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2020, Volume 65, Issue 12, Pages 2031–2034
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784220120051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2123–2126; Tech. Phys., 65:12 (2020), 2031–2034
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonPan20}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, В.~Н.~Пантелеев
\paper Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
\jour ЖТФ
\yr 2020
\vol 90
\issue 12
\pages 2123--2126
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5134}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50130.98-20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367659}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2020
\vol 65
\issue 12
\pages 2031--2034
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784220120051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5134
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i12/p2123
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024