|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Д. Жуков, Т. Д. Смирнова, А. А. Хазанов, О. Ю. Цветкова, С. Н. Штыков, “Свойства полупроводниковых коллоидных квантовых точек, полученных в условиях управляемого синтеза”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1203–1209   |
2
|
| 2. |
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, В. Ф. Кабанов, И. Т. Ягудин, “Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 319–325 ; N. D. Zhukov, M. V. Gavrikov, V. F. Kabanov, I. T. Yagudin, “Single-electron emission-injection transport in a microstructure with colloidal quantum dots of narrow-gap semiconductors”, Semiconductors, 55:5 (2021), 470–475 |
2
|
| 3. |
Н. Д. Жуков, С. А. Сергеев, А. А. Хазанов, И. Т. Ягудин, “Особенности излучательных свойств квантово-размерных частиц узкозонных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 37–40 |
|
2020 |
| 4. |
Н. Д. Жуков, И. Т. Ягудин, Н. П. Абаньшин, Д. С. Мосияш, “Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 40–43 ; N. D. Zhukov, I. T. Yagudin, N. P. Abanshin, D. S. Mosiyash, “A study of quantum dots in a multigrain layer of a planar-end microstructure”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1088–1091 |
3
|
| 5. |
Д. В. Крыльский, Н. Д. Жуков, “Синтез и свойства больших квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 15–18 ; D. V. Krylsky, N. D. Zhukov, “Synthesis and properties of indium antimonide big quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 901–904 |
3
|
| 6. |
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, Д. В. Крыльский, “Одноэлектронный транспорт в коллоидных квантовых точках узкозонных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 47–50 ; N. D. Zhukov, M. V. Gavrikov, D. V. Krylsky, “Single-electron transport in colloidal quantum dots of narrow-gap semiconductors”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 881–884 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
Н. Д. Жуков, Д. В. Крыльский, М. И. Шишкин, А. А. Хазанов, “Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1103–1109 ; N. D. Zhukov, D. V. Krylsky, M. I. Shishkin, A. A. Khazanov, “On the synthesis and photoluminescence and cathodoluminescence properties of CdSe, CdTe, PbS, InSb, and GaAs colloidal quantum dots”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1082–1087 |
| 8. |
Н. Д. Жуков, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, “О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 340–344 ; N. D. Zhukov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, “Mechanism and features of field emission in semiconductors”, Semiconductors, 53:3 (2019), 321–325 |
1
|
| 9. |
Д. В. Крыльский, Н. Д. Жуков, “Синтез, состав, фотолюминесценция, стабильность свойств коллоидных квантовых точек на основе антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 10–13 ; D. V. Krylsky, N. D. Zhukov, “Synthesis, composition, photoluminescence, and stability of properties of colloidal InSb-based quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 801–804 |
8
|
| 10. |
М. В. Гавриков, Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, “Электронно-эмиссионные свойства полупроводниковых субмикронных частиц”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 46–49 ; M. V. Gavrikov, N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, “Electron emission properties of submicron semiconductor particles”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1230–1233 |
|
2018 |
| 11. |
Н. Д. Жуков, А. Г. Роках, М. И. Шишкин, “Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 608–613 ; N. D. Zhukov, A. G. Rokakh, M. I. Shishkin, “Properties of lead-sulfide nanoparticles in a multicrystalline structure”, Semiconductors, 52:6 (2018), 755–759 |
3
|
| 12. |
Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин, “Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88 ; N. D. Zhukov, V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, M. I. Shishkin, “Peculiarities of the properties of III–V semiconductors in a multigrain structure”, Semiconductors, 52:1 (2018), 78–83 |
3
|
| 13. |
Н. Д. Жуков, М. И. Шишкин, А. Г. Роках, “Плазменное отражение в мультизеренном слое узкозонных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018), 102–110 ; N. D. Zhukov, M. I. Shishkin, A. G. Rokakh, “Plasma reflection in multigrain layers of narrow-bandgap semiconductors”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 362–365 |
3
|
|
2017 |
| 14. |
Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, И. В. Синёв, А. А. Хазанов, А. В. Смирнов, И. В. Лапшин, “Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 72–79 ; N. D. Zhukov, D. S. Mosiyash, I. V. Sinev, A. A. Khazanov, A. V. Smirnov, I. V. Lapshin, “Mechanisms of current transfer in electrodeposited layers of submicron semiconductor particles”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1124–1127 |
7
|
|
2016 |
| 15. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. С. Мосияш, “Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 911–917 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, D. S. Mosiyash, “Local emission spectroscopy of surface micrograins in A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ semiconductors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 894–900 |
7
|
| 16. |
Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, А. А. Хазанов, “Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 772–776 ; N. D. Zhukov, E. G. Glukhovskoy, A. A. Khazanov, “On the local injection of emitted electrons into micrograins on the surface of А$^{\mathrm{III}}$–В$^{\mathrm{V}}$ semiconductors”, Semiconductors, 50:6 (2016), 756–760 |
5
|
|
Обратная связь: