|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках
Н. Д. Жуковa, А. И. Михайловb, Д. С. Мосияшa a ООО "Реф-Свет", Саратов, Россия
b Саратовский государственный университет
Аннотация:
С помощью сканирующего туннельного микроскопа исследована полевая эмиссия электронов из отдельных зерен поверхности кремния и полупроводников A$^{\operatorname{III}}$B$^{\operatorname{V}}$ – арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. По соответствию функциональной зависимости вольт-амперной характеристики теории определен механизм эмиссии: при напряжениях $V<$ 1 В – прямое туннелирование через обедненный или обогащенный приповерхностный слой, при $V>$ 1 В – туннельная эмиссия из приповерхностных электронных состояний. Получены значения полевого порога эмиссии в пределах (1–5) $\cdot$ 10$^{6}$ В/см, что существенно меньше, чем для металлов и углерода. Определяющими факторами эмиссии являются эффекты Шоттки, локализации и размерного квантования легких" электронов в приповерхностной зоне полупроводников A$^{\operatorname{III}}$B$^{\operatorname{V}}$, наличие приповерхностного обеднения в кремнии. По полученным данным для величин полевого порога эмиссии наиболее эффективным эмиттером является антимонид индия в виде субмикронных частиц-зерен.
Поступила в редакцию: 15.10.2018 Исправленный вариант: 16.10.2018
Образец цитирования:
Н. Д. Жуков, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, “О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 340–344; Semiconductors, 53:3 (2019), 321–325
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5563 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p340
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 12 |
|