Локальная эмиссионная спектроскопия микрозерен поверхности полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

В туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации $(\psi)$ и времени жизни $(\tau)$ электронов на них. Идентифицированы два типа уровней электронной локализации – в объеме ($\psi\approx$ 0.75 эВ – $n$-InSb, $\sim$1.15 эВ – $n$-InAs, $\sim$1.59 эВ – $n$-GaAs; $\tau\sim$ 10$^{-8}$–10$^{-7}$ с) и в приповерхностной зоне микрозерна $i$-InSb ($\psi\approx$ 0.73, 1.33, 1.85, 2.15, 5.1 эВ; $\tau\approx$ 5 $\cdot$ 10$^{-8}$–3 $ \cdot$ 10$^{-7}$ с). Предложена физическая модель – локализация легких электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование, определяемые эффективной массой, энергией и концентрацией электронов, кривизной поверхности микрозерна.