Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 24, страницы 72–79
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641 (Mi pjtf6047) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц

Н. Д. Жуковa, Д. С. Мосияшa, И. В. Синёвb, А. А. Хазановa, А. В. Смирновb, И. В. Лапшинc

a ООО "Реф-Свет", Саратов
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
c АО "ГИРЕДМЕТ", Москва
PDF полного текста (409 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) проводимости в мультизеренных слоях субмикронных частиц кремния, арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. Наночастицы получены помолом монокристаллов на шаровой мельнице и после седиментации нанесены на подложки электроосаждением. Детальный анализ ВАХ позволил установить, что их поведение определяется механизмом межзеренной туннельной эмиссии из приповерхностных электронных состояний субмикронных частиц. Определены параметры эмиссионного процесса. Использование мультизеренных полупроводниковых структур возможно в газовых и оптических сенсорах, приемниках ИК-излучений.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 12, Pages 1124–1127
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501712029X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Жуков, Д. С. Мосияш, И. В. Синёв, А. А. Хазанов, А. В. Смирнов, И. В. Лапшин, “Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 72–79; Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1124–1127
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMosSin17}
\by Н.~Д.~Жуков, Д.~С.~Мосияш, И.~В.~Синёв, А.~А.~Хазанов, А.~В.~Смирнов, И.~В.~Лапшин
\paper Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 24
\pages 72--79
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6047}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.24.45344.16641}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30646465}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 12
\pages 1124--1127
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501712029X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6047
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i24/p72
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024