|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры
Н. Д. Жуков, И. Т. Ягудин, Н. П. Абаньшин, Д. С. Мосияш ООО "НПП Волга", г. Саратов
Аннотация:
Исследованы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, InSb в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры. Рассмотрена модель упорядоченного расположения КТ в микронном зазоре структуры и протекания тока по линиям их последовательно-параллельного расположения. Электронный транспорт при малых величинах напряжения (менее 8 V) определяется термо- и туннельной эмиссией из КТ в зазор, при больших – зарядовым ограничением в КТ по модели кулоновской блокады. Обнаружено сильное влияние на вольт-амперные характеристики излучения ИК- и УФ-спектров.
Ключевые слова:
квантовая точка, мультизеренный слой, планарно-торцевая микроструктура, электронный транспорт, туннельная эмиссия, кулоновская блокада.
Поступила в редакцию: 22.05.2020 Исправленный вариант: 22.05.2020 Принята в печать: 28.07.2020
Образец цитирования:
Н. Д. Жуков, И. Т. Ягудин, Н. П. Абаньшин, Д. С. Мосияш, “Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 40–43; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1088–1091
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4953 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i21/p40
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 15 |
|