Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$

На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольт-амперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения – 6 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ для антимонида, 4 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ для арсенида индия. Предложена физическая модель – локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия.