Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 772–776 (Mi phts6437)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$

Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, А. А. Хазанов

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (230 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольт-амперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения – 6 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ для антимонида, 4 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ для арсенида индия. Предложена физическая модель – локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия.
Поступила в редакцию: 18.06.2015
Принята в печать: 22.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 756–760
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060257
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, А. А. Хазанов, “Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 772–776; Semiconductors, 50:6 (2016), 756–760
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuGluKha16}
\by Н.~Д.~Жуков, Е.~Г.~Глуховской, А.~А.~Хазанов
\paper Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 772--776
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6437}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368910}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 756--760
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060257}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6437
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p772
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024