Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 608–613
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45924.8686
(Mi phts5810)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре

Н. Д. Жуков, А. Г. Роках, М. И. Шишкин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация: Исследованы структурные и электрофизические свойства наночастиц PbS (размером 40-70 нм), полученных химической реакцией гидроксида натрия и нитрата свинца и осажденных электрофоретически на проводящую подложку. По составу и структуре наночастицы идентифицированы рентгеновским анализом как фаза чистого PbS с кубической гранецентрированной решеткой. По спектрам НПВО определены несколько минимумов, обусловленных плазменно-резонансным поглощением в области 10–17 мкм. Методами сканирующей электронной и туннельной микроскопии определены морфология слоя, форма и размеры наночастиц. По трехмерным топограммам определена тонкая структура поверхности – в виде множества (плотностью $\sim$400 мкм$^{-2}$) пирамидальных граненых острий с размерами 5–10 нм. Из анализа туннельно-токовых вольт-амперных характеристик отдельных наноострий установлено наличие низкополевой эмиссии и определены величины барьера (1.6–1.8 эВ), которые объяснены в модели квантовой точки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00136
16-07-00226
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов № 16-07-00136 и 16-07-00226.
Поступила в редакцию: 12.07.2017
Принята в печать: 12.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 6, Pages 755–759
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618060258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Жуков, А. Г. Роках, М. И. Шишкин, “Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 608–613; Semiconductors, 52:6 (2018), 755–759
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuRokShi18}
\by Н.~Д.~Жуков, А.~Г.~Роках, М.~И.~Шишкин
\paper Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 608--613
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5810}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45924.8686}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37051674}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 755--759
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618060258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5810
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p608
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024