Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 83–88
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45323.8515 (Mi phts5945) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре

Н. Д. Жуковa, В. Ф. Кабановb, А. И. Михайловb, Д. С. Мосияшa, А. А. Хазановa, М. И. Шишкинb

a ООО "Волга–Свет", Саратов, Россия
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (399 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45323.8515
Аннотация: Представлены систематизированные результаты исследований свойств полупроводников InAs, InSb, GaAs в мультизеренной структуре на основе измерений и анализа вольт-амперных и спектральных характеристик. Установлено, что процессы эмиссии и инжекции электронов определяются эффектами локализации состояний в объеме и в приповерхностной области субмикронных зерен. Обнаружены и исследованы явления ограничения тока и низкополевой эмиссии, характерные для квантовых точек. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцового диапазонов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00093-а
16-07-00185-а
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов 16-07-00093-а и 16-07-00185-а.
Поступила в редакцию: 20.02.2017
Принята в печать: 22.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 78–83
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин, “Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88; Semiconductors, 52:1 (2018), 78–83
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKabMik18}
\by Н.~Д.~Жуков, В.~Ф.~Кабанов, А.~И.~Михайлов, Д.~С.~Мосияш, А.~А.~Хазанов, М.~И.~Шишкин
\paper Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 83--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5945}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45323.8515}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982790}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 78--83
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010256}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5945
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p83
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024