Плазменное отражение в мультизеренном слое узкозонных полупроводников

В слоях электроосажденных субмикронных частиц и на шлифованных алмазным порошком М1 пластинах InSb, InAs, GaAs получены качественно одинаковые спектральные характеристики плазменно-резонансного отражения в области 15–25 $\mu$m. Для самого узкозонного полупроводника InSb (граница собственного поглощения $\sim$7 $\mu$m) наблюдается спектральная полоса поглощения 2.1–2.3 $\mu$m, которая интерпретирована в модели оптического возбуждения кулоновски взаимодействующих электронов. В мультизеренном слое полученных химически наночастиц PbS (50–70 nm) наблюдались максимумы поглощения 7, 10, 17 $\mu$m, которые можно объяснить электронными переходами по правилам квантования энергии для квантовых точек.