|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Просветляющие покрытия на основе ZnO, полученные методом электронно-лучевого испарения”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1248–1254   |
| 2. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, М. В. Меш, Д. С. Колоколов, “Применение метода атомно-слоевого осаждения для получения наноструктурированных покрытий ITO/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 365–372 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, M. V. Mesh, D. S. Kolokolov, “Application of atomic layer deposition for obtaining nanostructured ITO/Al$_{2}$O$_{3}$ coatings”, Semiconductors, 55:4 (2021), 438–445 |
5
|
| 3. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1106–1111 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Combination of reactive-ion etching and chemical etching as a method for optimizing the surface relief on AlGaInN heterostructures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1310–1314 |
1
|
| 5. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, “Модификация рельефа $n$-поверхности AlGaInN-светодиодов изменением состава газовой смеси при реактивном ионном травлении”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 564–569 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, “Modification of the $n$-surface profile of AlGaInN LEDs by changing the gas-mixture composition during reactive ion etching”, Semiconductors, 54:6 (2020), 672–676 |
2
|
|
2019 |
| 6. |
Л. К. Марков, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, Г. В. Иткинсон, О. В. Осипов, “Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1562–1567 ; L. K. Markov, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, G. V. Itkinson, O. V. Osipov, “High-voltage alingan LED chips”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1529–1534 |
| 7. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Наноструктурированные покрытия ITO/SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1052–1057 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, “Nanostructured ITO/SiO$_{2}$ coatings”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1033–1037 |
1
|
| 8. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, “Способ создания просветляющих покрытий для пленок ITO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 181–189 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, “Technique for the formation of antireflection coatings based on ITO films”, Semiconductors, 53:2 (2019), 172–179 |
8
|
|
2018 |
| 9. |
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов, “Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1228–1236 ; L. K. Markov, A. S. Pavluchenko, I. Yu. Smirnova, S. I. Pavlov, “Study of the effective refractive index profile in self-assembling nanostructured ITO films”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1349–1356 |
11
|
| 10. |
С. А. Гуревич, М. В. Горохов, В. М. Кожевин, М. В. Кукушкин, В. С. Левицкий, Л. К. Марков, Д. А. Явсин, “Формирование аморфных наночастиц углерода методом лазерного электродиспергирования”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 57–62 ; S. A. Gurevich, M. V. Gorokhov, V. M. Kozhevin, M. V. Kukushkin, V. S. Levitskii, L. K. Markov, D. A. Yavsin, “Formation of amorphous carbon nanoparticles by the laser electrodispersion method”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 207–209 |
1
|
|
2016 |
| 11. |
Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Д. А. Закгейм, С. И. Павлов, “Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 1001–1006 ; L. K. Markov, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, M. V. Kukushkin, D. A. Zakgeim, S. I. Pavlov, “Technique for forming ITO films with a controlled refractive index”, Semiconductors, 50:7 (2016), 984–988 |
7
|
|
1991 |
| 12. |
Т. С. Орлова, Л. К. Марков, Б. И. Сирнов, В. В. Шпейзман, Ю. П. Степанов, “Влияние механических напряжений на свойства висмутовой и иттриевой ВТСП керамик”, Физика твердого тела, 33:12 (1991), 3595–3597  |
| 13. |
Л. К. Марков, В. В. Шпейзман, “Гистерезис вольт-амперной характеристики ВТСП-керамики, обусловленной захватом магнитного потока”, Физика твердого тела, 33:11 (1991), 3308–3314 |
| 14. |
В. В. Шпейзман, Б. И. Смирнов, Н. Н. Песчанская, Л. К. Марков, “Влияние слабых магнитных полей и транспортного тока на микропластичность ВТСП керамики в области $S\to N$ перехода”, Физика твердого тела, 33:7 (1991), 2198–2204 |
| 15. |
Т. С. Орлова, Н. Н. Песчанская, Л. К. Марков, Б. И. Смирнов, В. В. Шпейзман, Й. Енгерт, Х. Й. Кауфманн, У. Шлефер, Л. Шнайдер, “Влияние структуры на свойства сверхпроводящей керамики системы Y$-$Ba$-$Cu$-$O”, Физика твердого тела, 33:1 (1991), 166–173 |
|
1990 |
| 16. |
Л. К. Марков, Б. И. Смирнов, В. В. Шпейзман, “Влияние одноосного сжатия на вольт-амперные характеристики керамики YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ в слабых магнитных полях”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2818–2820 |
|
Обратная связь: