|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовались оптические характеристики и структурные особенности самоорганизующихся наноструктурированных пленок оксида индия и олова (ITO), нанесенных методом электронно-лучевого испарения на нагретые выше 400$^\circ$C подложки. Оценки профилей распределения вещества и значения эффективного показателя преломления в исследуемых пленках были получены компьютерным моделированием среды, имеющей наиболее близкие к наблюдаемым в эксперименте спектральные зависимости коэффициентов пропускания и отражения света. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с данными растровой электронной микроскопии для этих пленок и позволяют не только подтвердить градиентный характер таких покрытий, но и восстановить его некоторые особенности. Дальнейшее заращивание пустот в самоорганизующихся наноструктурированных пленках посредством нанесения дополнительного количества материала методом магнетронного распыления при комнатной температуре приводит к изменению в них профиля эффективного показателя преломления. Таким образом можно создавать прозрачные проводящие покрытия с профилем эффективного показателя преломления, настраиваемым под поставленные задачи. Настройка профиля показателя преломления в самоорганизованных пленках ITO приобретает особое значение для конструирования покрытий с заданными свойствами в силу ограниченного набора прозрачных проводящих материалов.
Поступила в редакцию: 26.02.2018 Принята в печать: 12.03.2018
Образец цитирования:
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов, “Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1228–1236; Semiconductors, 52:10 (2018), 1349–1356
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5720 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1228
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 26 |
|