Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1228–1236
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46466.8853
(Mi phts5720)
 

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO

Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследовались оптические характеристики и структурные особенности самоорганизующихся наноструктурированных пленок оксида индия и олова (ITO), нанесенных методом электронно-лучевого испарения на нагретые выше 400$^\circ$C подложки. Оценки профилей распределения вещества и значения эффективного показателя преломления в исследуемых пленках были получены компьютерным моделированием среды, имеющей наиболее близкие к наблюдаемым в эксперименте спектральные зависимости коэффициентов пропускания и отражения света. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с данными растровой электронной микроскопии для этих пленок и позволяют не только подтвердить градиентный характер таких покрытий, но и восстановить его некоторые особенности. Дальнейшее заращивание пустот в самоорганизующихся наноструктурированных пленках посредством нанесения дополнительного количества материала методом магнетронного распыления при комнатной температуре приводит к изменению в них профиля эффективного показателя преломления. Таким образом можно создавать прозрачные проводящие покрытия с профилем эффективного показателя преломления, настраиваемым под поставленные задачи. Настройка профиля показателя преломления в самоорганизованных пленках ITO приобретает особое значение для конструирования покрытий с заданными свойствами в силу ограниченного набора прозрачных проводящих материалов.
Поступила в редакцию: 26.02.2018
Принята в печать: 12.03.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1349–1356
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261810010X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов, “Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1228–1236; Semiconductors, 52:10 (2018), 1349–1356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarPavSmi18}
\by Л.~К.~Марков, А.~С.~Павлюченко, И.~Ю.~Смирнова, С.~И.~Павлов
\paper Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1228--1236
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5720}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46466.8853}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903586}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1349--1356
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261810010X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5720
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1228
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024