|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. Д. Моисеев, В. В. Романов, “Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в интервале составов $y<$ 0.2”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 475–482   ; K. D. Moiseev, V. V. Romanov, “Band diagram of the InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP heterojunction in the composition range $y<$ 0.2”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 595–602 |
2
|
| 2. |
А. А. Семакова, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 277–281 ; A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 |
2
|
|
2020 |
| 3. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1822–1827 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Forming a type-II heterojunction in the InAsSb/InAsSbP semiconductor structure”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2039–2044 |
6
|
| 4. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 202–206 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 |
6
|
|
2019 |
| 5. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1746–1753 ; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP narrow-gap heterostructures ($y$ = 0.09–0.16) grown by metalorganic vapor phase epitaxy for the spectral range of 4–6 $\mu$m”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1699–1706 |
8
|
| 6. |
В. В. Романов, И. А. Белых, Э. В. Иванов, П. А. Алексеев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 832–838 ; V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 |
6
|
|
2018 |
| 7. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 585–590 ; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Rearrangement of electroluminescence spectra in type-II $n$-InAs/$n$-InAsSbP heterostructures”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 592–597 |
3
|
|
2016 |
| 8. |
К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2203–2207 ; K. D. Moiseev, V. V. Romanov, Yu. A. Kudriavtsev, “Features of an InAsSbP epilayer formation on an InAs support by metalorganic vapor phase epitaxy”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2285–2289 |
5
|
| 9. |
В. В. Романов, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 927–931 ; V. V. Romanov, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Effect of multicomponent InAsSbP matrix surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth”, Semiconductors, 50:7 (2016), 910–914 |
3
|
|
1990 |
| 10. |
Н. Т. Баграев, Д. М. Дараселия, Д. Л. Джапаридзе, В. В. Романов, Т. И. Санадзе, “Магнитные свойства монокристаллов $\alpha$-LiIO$_{3}$, содержащих ионы редкоземельных элементов”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2814–2816  |
| 11. |
Б. М. Буттаев, А. В. Голубков, Т. Б. Жукова, М. В. Романова, В. В. Романов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов, “Tm$_{x}$S ($0.9<x<1.11$) — новая концентрированная кондо-система”, Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2354–2362 |
|
Обратная связь: