|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, “Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 908–911   ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, “Initial stages of growth of semipolar AlN on a nanopatterned Si(100) substrate”, Semiconductors, 55:10 (2021), 812–815 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Formation of semipolar III-nitride layers on patterned Si(100) substrates with a self-forming nanomask”, Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2123–2126 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Plastic relaxation of stressed semipolar AlN(10$\bar1$1) layer synthesized on a nanopatterned Si(100) substrate”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2031–2034 |
3
|
| 4. |
В. Н. Бессолов, Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 29–31 ; V. N. Bessolov, N. D. Gruzinov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, “Vapor-phase epitaxy of AlN layers on AlN/Si(111) templates synthesized by reactive magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 382–384 |
| 5. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 12–14 ; V. N. Bessolov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Hydride vapor-phase epitaxy of a semipolar AlN(10$\bar{1}$2) layer on a nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 59–61 |
7
|
|
2019 |
| 6. |
Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, “Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2317–2321 ; L. M. Sorokin, M. Yu. Gutkin, A. V. Myasoedov, A. E. Kalmykov, V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, “Dislocation reactions in a semipolar gallium nitride layer grown on a vicinal Si(001) substrate using aluminum nitride and 3$C$–SiC buffer layers”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2316–2320 |
1
|
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии”, ЖТФ, 89:4 (2019), 574–577 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, S. D. Konenkov, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Synthesis of hexagonal AlN и GaN layers on a Si(100) substrate by chloride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 531–534 |
3
|
| 8. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
| 9. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5 |
7
|
|
2018 |
| 10. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
| 11. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 96–103 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Hexagonal AlN layers grown on sulfided Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 81–83 |
6
|
|
2017 |
| 12. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 660–667 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681 |
4
|
|
1992 |
| 13. |
В. Н. Бессолов, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, Е. Б. Новиков, “Сульфидная пассивация полупроводников A$^{3}$B$^{5}$: модельные представления и эксперимент”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1713–1718  |
| 14. |
Т. В. Сакало, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель
и эксперимент”, ЖТФ, 62:3 (1992), 100–105 |
|
1991 |
| 15. |
В. Л. Берковиц, В. Н. Бессолов, Т. В. Львова, Е. Б. Новиков, В. И. Сафаров, Р. В. Хасиева, Б. В. Царенков, “Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1406–1413 |
| 16. |
В. Н. Бессолов, М. В. Лебедев, “Эффект диффузионной релаксации при жидкостной эпитаксии GaAlAs”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991), 17–20 |
|
1990 |
| 17. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, К. Ю. Погребицкий, Б. В. Царенков, “Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной
эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания
супертонких слоев $A^{3}B^{5}$”, ЖТФ, 60:1 (1990), 165–169 |
|
1988 |
| 18. |
В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Релаксационная жидкостная эпитаксия, основанная на инверсии
массопереноса, и ее возможности для создания супертонких слоев A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 58:8 (1988), 1507–1512 |
|
1986 |
| 19. |
Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, А. Т. Денисова, С. Е. Клименко, С. А. Кукушкин, М. В. Лебедев, Б. В. Царенков, “Создание супертонких слоев GaAs на подложке GaAlAs жидкостной
эпитаксией”, ЖТФ, 56:5 (1986), 910–913 |
| 20. |
Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, А. С. Волков, В. В. Евстропов, К. В. Киселев, Г. Г. Кочиев, А. Л. Липко, Б. В. Царенков, “Интерфейсная люминесценция гетероструктуры
$n$-GaAs/$n$-GaAlAs, полученной жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1313–1317 |
|
1985 |
| 21. |
В. Н. Бессолов, Е. С. Добрынина, М. В. Лебедев, В. И. Петров, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Люминесценция упруго и пластически деформированных
при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1078–1080 |
| 22. |
Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, С. Е. Клименко, В. Е. Корсуков, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:8 (1985), 465–469 |
|
1984 |
| 23. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP
структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984), 149–153 |
|
1983 |
| 24. |
В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах
Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983), 411–412 |
| 25. |
В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2173–2176 |
| 26. |
Ю. Ю. Абдурахманов, В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, Е. А. Поссе, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P
$p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 125–128 |
|
Обратная связь: