|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Квантовая электроника, 54:4 (2024), 218–223  |
|
2023 |
| 2. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кандратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 374–378 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983] |
| 3. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 11–16 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] |
1
|
| 4. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, “Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 6–10 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. A. Kryuchkov, V. A. Strelets, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, “Quasi-cw high-power laser diode mini bars (λ=976 nm) with increased length of a resonator based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S520–S526] |
| 5. |
А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 1–5 [A. A. Podoskin, I. Shushkanov, V. V. Shamakhov, A. Rizaev, M. Kondratov, A. A. Klimov, S. V. Zazulin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Laser diodes (850nm) based on an asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructure with a bulk active region for generating high-power subnanosecond optical pulses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S513–S519] |
|
2022 |
| 6. |
С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1152–1165 [S. O. Slipchenko, D. A. Veselov, V. V. Zolotarev, A. V. Lyutetskiy, A. A. Podoskin, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power laser diodes based on InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs heterostructures with low internal optical losses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512] |
7
|
| 7. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. А. Веселов, Л. С. Ефремов, В. В. Золотарев, А. Е. Казакова, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 171–173 [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. A. Veselov, L. S. Efremov, V. V. Zolotarev, A. E. Kazakova, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “Vertical stacks of pulsed (100 ns) mesa-stripe semiconductor lasers with an ultra-wide (800 μm) aperture emitting kilowatt-level peak power at a wavelength of 1060 nm”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 171–173   ] |
7
|
|
2021 |
| 8. |
А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472  |
| 9. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 460–465 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Analysis of the threshold conditions and lasing efficiency of internally circulating modes in large rectangular cavities based on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 55:5 (2021), 518–523 |
| 10. |
Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914 [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914 ] |
3
|
| 11. |
П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 129–132 [P. S. Gavrina, A. A. Podoskin, E. V. Fomin, D. A. Veselov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Light–current characteristics of high-power pulsed semiconductor lasers (1060 nm) operating at increased (up to 90 °C) temperatures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 129–132 ] |
6
|
| 12. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 124–128 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Podoskin, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Experimental technique for studying optical absorption in waveguide layers of semiconductor laser heterostructures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 124–128 ] |
3
|
|
2020 |
| 13. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, А. Е. Казакова, В. А. Капитонов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 734–742 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, A. E. Kazakova, V. A. Kapitonov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of the spatial and current dynamics of optical loss in semiconductor laser heterostructures by optical probing”, Semiconductors, 54:8 (2020), 882–889 |
2
|
| 14. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 484–489 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Switching control model of closed-mode structures in large rectangular cavities based on AlGaAs/InGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 54:5 (2020), 581–586 |
2
|
| 15. |
О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, “Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 478–483 ; O. S. Soboleva, V. S. Golovin, V. S. Yuferev, P. S. Gavrina, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, “Modeling the spatial switch-on dynamics of a laser thyristor ($\lambda$ = 905 nm) based on an AlGaAs/InGaAs/GaAs multi-junction heterostructure”, Semiconductors, 54:5 (2020), 575–580 |
5
|
| 16. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 452–457 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Carrier-transport processes in $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs isotype heterostructures with a thin wide-gap AlGaAs barrier”, Semiconductors, 54:5 (2020), 529–533 |
2
|
| 17. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020), 1001–1003 [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003 ] |
3
|
|
2019 |
| 18. |
А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 839–843 ; A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, I. S. Shashkin, P. S. Gavrina, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Сlosed mode features in rectangular resonators based on InGaAs/AlGaAs/GaAs laser heterostructures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 828–832 |
5
|
| 19. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, О. С. Соболева, В. С. Юферев, В. С. Головин, П. С. Гаврина, Д. Н. Романович, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, “Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 816–823 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, O. S. Soboleva, V. S. Yuferev, V. S. Golovin, P. S. Gavrina, D. N. Romanovich, I. V. Miroshnikov, N. A. Pikhtin, “Specific features of carrier transport in $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ structures with a GaAs/AlGaAs heterojunction at ultrahigh current densities”, Semiconductors, 53:6 (2019), 806–813 |
5
|
| 20. |
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11 ; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 |
3
|
| 21. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013 [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013 ] |
6
|
|
2017 |
| 22. |
А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 31–37 ; A. A. Podoskin, I. S. Shashkin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “All-optical modulator cells based on AlGaAs/GaAs/InGaAs 905-nm laser heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 101–103 |
3
|
|
Обратная связь: