|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000   ; N. M. Lebedeva, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, P. A. Ivanov, “Formation of SiC mesastructures with gently sloping sidewalls by dry selective etching through a photoresist mask”, Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960 |
3
|
| 2. |
Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, П. А. Иванов, “О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 207–211 ; N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, P. A. Ivanov, “Edge-termination technique for high-voltage mesa-structure 4$H$-SiC devices: negative beveling”, Semiconductors, 54:2 (2020), 258–262 |
3
|
| 3. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
2019 |
| 4. |
А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1604–1608 ; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 |
6
|
| 5. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1448–1452 ; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 |
1
|
| 6. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 862–864 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Correction of the reverse recovery characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction diodes using proton irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 850–852 |
1
|
| 7. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 407–410 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Simulation of transient processes in 4$H$-SiC based semiconductor devices (taking into account the incomplete ionization of dopants in the atlas module of the SILVACO TCAD software package)”, Semiconductors, 53:3 (2019), 385–387 |
| 8. |
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848 ; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794   |
15
|
|
2018 |
| 9. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)”, ЖТФ, 88:1 (2018), 89–92 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Generation of high-voltage pulses by sharp-recovery SiC drift diodes ($n$-base versus $p$-base diodes)”, Tech. Phys., 63:1 (2018), 86–89 |
3
|
| 10. |
П. А. Иванов, “О пространственной локализации свободных электронов в $n$-канальных МОП-транзисторах на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 105–109 ; P. A. Ivanov, “On the spatial localization of free electrons in 4$H$-SiC MOSFETS with an $n$ channel”, Semiconductors, 52:1 (2018), 100–104 |
1
|
| 11. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, Т. П. Самсонова, “Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 11–16 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, T. P. Samsonova, “The influence of heat treatment on the electrical characteristics of semi-insulating sic layers obtained by irradiating $n$-SiC with high-energy argon ions”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 229–231 |
5
|
| 12. |
П. А. Иванов, О. И. Коньков, Т. П. Самсонова, А. С. Потапов, “Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 3–8 ; P. A. Ivanov, O. I. Kon'kov, T. P. Samsonova, A. S. Potapov, “4$H$-SiC based subnanosecond (150 ps) high-voltage (1600 V) current breakers”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 87–89 |
9
|
|
2017 |
| 13. |
В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1243–1248 ; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1194–1199 |
2
|
| 14. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 390–394 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes in the avalanche breakdown mode”, Semiconductors, 51:3 (2017), 374–378 |
6
|
|
2016 |
| 15. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов”, ЖТФ, 86:2 (2016), 85–88 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation”, Tech. Phys., 61:2 (2016), 240–243 |
4
|
| 16. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 900–904 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4$H$-SiC”, Semiconductors, 50:7 (2016), 883–887 |
4
|
| 17. |
М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 87–94 ; M. S. Ivanov, P. B. Rodin, P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 43–46 |
6
|
|
Обратная связь: