О пространственной локализации свободных электронов в $n$-канальных МОП-транзисторах на основе 4$H$-SiC

Теоретически рассматривается вопрос о пространственной локализации свободных электронов в 4$H$-SiC МОП-транзисторах с обогащенным и инверсным $n$-каналом. Анализ показал, что в оптимально сконструированных транзисторах с обогащенным каналом среднее расстояние, на котором свободные электроны локализованы от поверхности 4$H$-SiC, может быть на порядок больше по сравнению с транзисторами с инверсным каналом. Это должно давать транзисторам с обогащенным каналом преимущество по эффективной подвижности электронов в проводящем канале.