Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 2, страницы 85–88 (Mi jtf6635)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов

П. А. Иванов, И. В. Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (156 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Промоделирована генерация высоковольтных электрических импульсов в генераторах с дрейфовыми диодами с резким восстановлением на основе 4H-SiC. Показано влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC на форму выходных импульсов.
Поступила в редакцию: 21.05.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2016, Volume 61, Issue 2, Pages 240–243
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216020134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов”, ЖТФ, 86:2 (2016), 85–88; Tech. Phys., 61:2 (2016), 240–243
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaGre16}
\by П.~А.~Иванов, И.~В.~Грехов
\paper Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов
\jour ЖТФ
\yr 2016
\vol 86
\issue 2
\pages 85--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6635}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669213}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2016
\vol 61
\issue 2
\pages 240--243
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784216020134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6635
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i2/p85
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. Zhaoyang Wu, Wei Lu, Xiangyang Bao, Fanbao Meng, Zhoubing Yang, Qian Sun, Fangzhou Zhao, Yutian Wang, “Study on cut-off characteristics of sub-nanosecond silicon carbide PiN switch”, Int. J. Mod. Phys. B, 35:07 (2021), 2150107  crossref
    2. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848  mathnet  crossref  adsnasa; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  crossref  isi  elib
    3. П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой n- и p-типа)”, ЖТФ, 88:1 (2018), 89–92  mathnet  crossref; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Generation of high-voltage pulses by sharp-recovery SiC drift diodes (n-base versus p-base diodes)”, Tech. Phys., 63:1 (2018), 86–89  mathnet  crossref
    4. П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси c”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 900–904  mathnet; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4H-SiC”, Semiconductors, 50:7 (2016), 883–887  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025