Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона

В карбиде кремния $n$-типа с помощью облучения высокоэнергетическими (53 MeV) ионами аргона созданы приповерхностные полуизолирующие слои ($i$-SiC). Исследовано влияние термического отжига на электрические свойства облученных слоев. Показано, что наиболее высокоомными облученные слои $i$-SiC становятся после термообработки при температуре 600$^\circ$C: их удельное сопротивление при комнатной температуре составляет не менее 1.6 $\cdot$ 10$^{13}$ $\Omega$ $\cdot$ cm, а при температуре 230$^\circ$C – около 5 $\cdot$ 10$^{7}$ $\Omega$ $\cdot$ cm.