Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Неверов Владимир Николаевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 12
Научных статей: 12

Статистика просмотров:
Эта страница:102
Страницы публикаций:645
Полные тексты:141
Списки литературы:52
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person121768
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. Т. Б. Чарикова, Н. Г. Шелушинина, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, “Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках”, УФН, 194:7 (2024),  740–752  mathnet; T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, V. N. Neverov, M. R. Popov, “Tunneling effects in highly anisotropic layered superconductors”, Phys. Usp., 67:7 (2024), 694–705
2023
2. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Magnetoresistance of a HgTe/CdHgTe double quantum well in an in-plane magnetic field”, JETP Letters, 118:12 (2023), 899–904
2022
3. М. В. Якунин, В. Я. Алешкин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов, М. Р. Попов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон”, Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386  mathnet; M. V. Yakunin, V. Ya. Aleshkin, S. M. Podgornykh, V. N. Neverov, M. R. Popov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Features of magnetotransport in a $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ double quantum well with an intermediate degree of band inversion”, JETP Letters, 116:6 (2022), 385–393 1
2021
4. А. С. Боголюбский, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, К. В. Туруткин, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром”, Физика твердого тела, 63:12 (2021),  1983–1993  mathnet  elib 1
2020
5. V. N. Neverov, A. S. Bogolubskii, S. V. Gudina, S. M. Podgornykh, K. V. Turutkin, M. R. Popov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  830  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 982–990 2
2018
6. С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, Е. В. Ильченко, В. Н. Неверов, А. П. Савельев, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454  mathnet  elib; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 4
7. С. В. Гудина, А. С. Боголюбский, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, “Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1291–1294  mathnet  elib; S. V. Gudina, A. S. Bogolubskii, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, ““Extremum loop” model for the valence-band spectrum of a HgTe/HgCdTe quantum well with an inverted band structure in the semimetallic phase”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1403–1406 3
8. С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  16–22  mathnet  elib; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide hgte quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 12–18 4
2017
9. С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1630  mathnet  elib; S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. V. Ilchenko, A. S. Bogolubskii, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Electron effective mass and $g$ factor in wide HgTe quantum wells”, Semiconductors, 52:12 (2018), 12–18 4
10. Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  281  mathnet  elib; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278 1
2016
11. М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, В. Н. Неверов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  415–423  mathnet  elib; M. V. Yakunin, S. S. Krishtopenko, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, V. N. Neverov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “HgTe/CdHgTe double quantum well with a spectrum of bilayer graphene and peculiarities of its magnetotransport”, JETP Letters, 104:6 (2016), 403–410  isi  scopus 11
12. С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674  mathnet  elib; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 2

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024