Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страница 830 (Mi phts6652)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations

V. N. Neverova, A. S. Bogolubskiia, S. V. Gudinaa, S. M. Podgornykhab, K. V. Turutkina, M. R. Popova, N. G. Shelushininaa, M. V. Yakunina, N. N. Mikhailovc, S. A. Dvoretskyc

a Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 620990 Ekaterinburg, Russia
b Ural Federal University, 620002 Ekaterinburg, Russia
c Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk
Аннотация: We present a study of Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations at temperatures of (2.2–10) K in magnetic fields up to 2.5 T in the HgCdTe/HgTe/HgCdTe heterostructure for a wide (20.3 nm) HgTe quantum well with an inverted energy band structure. The analysis of the temperature dependence of SdH amplitude in weak fields, in a region of doubly degenerate magnetoresistance peaks, led us to the value of effective electron mass $m_c/m_0$ = (0.022 $\pm$ 0.002) which is about half the theoretical estimates. But in a region of higher magnetic fields, for nondegenerate magnetoresistance peaks, we confidently have $m_c/m_0$ = (0.034 $\pm$ 0.003) in good agreement both with the theoretical estimation and with our experimental results on the analysis of activation transport under quantum Hall effect regime. The reasons for this discrepancy are discussed.
Ключевые слова: quantum wells, mercury telluride, Shubnikov–de Haas oscillations, effective mass of charge carriers, quantum Hall effect.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00172
18-32-00382
The research was carried out within the state assignment of Russian Ministry of Science and High education, theme “Electron” and “Function”, supported in part by Russian Foundation on Basic Research, projects Nos. 18-02-00172 (samples), 18-32-00382 (experiment).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 982–990
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. N. Neverov, A. S. Bogolubskii, S. V. Gudina, S. M. Podgornykh, K. V. Turutkin, M. R. Popov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, “Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 830; Semiconductors, 54:8 (2020), 982–990
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NevBogGud20}
\by V.~N.~Neverov, A.~S.~Bogolubskii, S.~V.~Gudina, S.~M.~Podgornykh, K.~V.~Turutkin, M.~R.~Popov, N.~G.~Shelushinina, M.~V.~Yakunin, N.~N.~Mikhailov, S.~A.~Dvoretsky
\paper Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov--de Haas oscillations
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 830
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6652}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=47283700}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 8
\pages 982--990
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6652
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p830
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024