Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страница 281
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44119.8302 (Mi phts6247) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Статьи, опубликованные в английской версии журнала

The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination

Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin

Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia
PDF полного текста (28 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44119.8302
Аннотация: The dependences of the longitudinal and Hall resistances on a magnetic field in $n$-InGaAs/GaAs heterostructures with a single and double quantum wells after infrared illumination are measured in the range of magnetic fields $B$ = 0–16 T and temperatures $T$ = 0.05–4.2 K.
Analysis of the experimental results was carried out on a base of two-parameter scaling hypothesis for the integer quantum Hall effect. The value of the second (irrelevant) critical exponent of the theory of two-parameter scaling was estimated.
Поступила в редакцию: 26.04.2016
Принята в печать: 20.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 272–278
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AraGudKle17}
\by Yu.~G.~Arapov, S.~V.~Gudina, A.~S.~Klepikova, V.~N.~Neverov, G.~I.~Harus, N.~G.~Shelushinina, M.~V.~Yakunin
\paper The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 281
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6247}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44119.8302}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006013}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 272--278
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6247
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p281
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:20
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024