|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Статьи, опубликованные в английской версии журнала
The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination
Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia
Аннотация:
The dependences of the longitudinal and Hall resistances on a magnetic field in $n$-InGaAs/GaAs heterostructures with a single and double quantum wells after infrared illumination are measured in the range of magnetic fields $B$ = 0–16 T and temperatures $T$ = 0.05–4.2 K.
Analysis of the experimental results was carried out on a base of two-parameter scaling hypothesis for the integer quantum Hall effect. The value of the second (irrelevant) critical exponent of the theory of two-parameter scaling was estimated.
Поступила в редакцию: 26.04.2016 Принята в печать: 20.06.2016
Образец цитирования:
Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6247 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p281
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 20 | PDF полного текста: | 4 |
|