Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1291–1294
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46585.07 (Mi phts5682) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе

С. В. Гудинаa, А. С. Боголюбскийa, В. Н. Неверовa, Н. Г. Шелушининаa, М. В. Якунинab

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Институт естественных наук и математики, Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
PDF полного текста (621 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46585.07
Аннотация: Для валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой рассчитаны эффективная масса и спектр уровней Ландау в квазиклассической модели “петли экстремумов”. В полуметаллической фазе веер уровней Ландау валентной зоны начинается при $B$ = 0 с энергии, соответствующей энергии боковых максимумов этой зоны, и перекрывается с веером уровней Ландау зоны проводимости.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118020290104-2
АААА-А18-118020190098-5
Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (темы “Спин” АААА-А18-118020290104-2 и “Электрон”, № АААА-А18-118020190098-5).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1403–1406
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261811009X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Гудина, А. С. Боголюбский, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, “Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1291–1294; Semiconductors, 52:11 (2018), 1403–1406
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudBogNev18}
\by С.~В.~Гудина, А.~С.~Боголюбский, В.~Н.~Неверов, Н.~Г.~Шелушинина, М.~В.~Якунин
\paper Модель ``петли экстремумов'' для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1291--1294
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5682}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46585.07}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903600}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1403--1406
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261811009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5682
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1291
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024