Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1669–1674 (Mi phts6291)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs

С. В. Гудинаa, Ю. Г. Араповa, А. П. Савельевa, В. Н. Неверовa, С. М. Подгорныхab, Н. Г. Шелушининаa, М. В. Якунинab, И. С. Васильевскийc, А. Н. Виниченкоc

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (281 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs при температурах $T$ = (1.8–30) K в магнитных полях до $B$ = 9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.
Поступила в редакцию: 17.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1641–1646
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120071
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1669–1674; Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudAraSav16}
\by С.~В.~Гудина, Ю.~Г.~Арапов, А.~П.~Савельев, В.~Н.~Неверов, С.~М.~Подгорных, Н.~Г.~Шелушинина, М.~В.~Якунин, И.~С.~Васильевский, А.~Н.~Виниченко
\paper Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1669--1674
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6291}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369071}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1641--1646
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120071}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6291
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1669
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024