Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Проведено исследование продольного $\rho_{xx}$ и холловского $\rho_{xy}$ сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах $T$ = 0.4–30 K в двумерных электронных системах $n$-In$_{0.9}$Ga$_{0.1}$Аs/In$_{0.81}$Al$_{0.19}$As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления $\rho_{xx}$, связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.