Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон

В двойной квантовой яме, состоящей из двух слоев HgTe толщиной $8.5$ нм, разделенных барьером $3$ нм, обнаружена ступенеобразная структура холловского магнитосопротивления $\rho_{yx}(B)$ с почти вертикальным ростом вокруг нуля и дальнейшим ходом, близким к $h/e^2$. Особенностью зонного спектра данных двойной квантовой ямы является наличие острого максимума в центре зоны Бриллюэна, расположенного близко по энергии к боковому максимуму. Наблюдаемый резкий рост $\rho_{yx}(B)$ вблизи нуля согласуется с исчезающе малой концентрацией легких дырок в этом максимуме, однако выход на почти горизонтальный дальнейший ход не соответствует классическому описанию $\rho_{yx}(B)$ для большой концентрации малоподвижных дырок в боковом максимуме и предполагает квантовые эффекты. Обнаружена высокая чувствительность наблюдаемой структуры $\rho_{yx}(B)$ к воздействиям (перпендикулярное слоям электрическое поле, параллельное магнитное поле), что согласуется с изменением тонкого баланса положений центрального и бокового максимумов. Показано, что это свойство обусловлено наличием в двойной квантовой яме своеобразного дипольного момента, отличающего ее от одиночной ямы с похожими особенностями зонного спектра, поэтому реакция одиночной ямы должна быть несопоставимо слабее.