|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта
М. В. Якунинab, С. С. Криштопенкоc, С. М. Подгорныхab, М. Р. Поповa, В. Н. Неверовa, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd a Институт физики металлов им. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
b Институт естественных наук, Уральский федеральный университет им. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, 603087 д. Афонино Нижегородской обл., Россия
d Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
В работе выполнены исследования квантового эффекта Холла (КЭХ) в двойной квантовой яме (ДКЯ) HgTe/CdHgTe с туннельно-прозрачным барьером и энергетическим спектром, похожим на зонную структуру двуслойного графена. Получено экспериментальное доказательство существования туннельной щели между состояниями легких носителей – по наличию пика в магнитосопротивлении (МС) в параллельном слоям магнитном поле. В образце с дырочной проводимостью обнаружена нетрадиционная структура КЭХ: на плато с номером $i=2$ присутствует ярко выраженный пик, и склонам этого аномального пика соответствуют два пика продольного МС. При этом в значительно больших полях наблюдается устойчивый переход плато–плато 2–1, его положение соответствует существенно большей плотности дырок, чем это следует из картины КЭХ в малых полях. Мы интерпретируем аномальный пик как возвратный КЭХ между состояниями 2–1–2. Положение аномального пика устойчиво к ИК освещению и к наклону магнитного поля, хотя эти воздействия сильно влияют на его амплитуду. Из сопоставления с рассчитанной картиной магнитных уровней мы связываем аномальный пик с пересечением электроно-подобного и дырочно-подобного уровней в валентной зоне. Также мы связываем различие между величинами плотности дырок, определяемой в слабых полях и из перехода 2–1 в сильных, с эффектами перераспределения дырок между локализованными состояниями в боковых максимумах валентной подзоны и делокализованными в наложенных уровнях легких дырок.
Поступила в редакцию: 05.08.2016
Образец цитирования:
М. В. Якунин, С. С. Криштопенко, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, В. Н. Неверов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 415–423; JETP Letters, 104:6 (2016), 403–410
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5069 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i6/p415
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 229 | PDF полного текста: | 38 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 17 |
|