Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 16–22
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45312.39
(Mi phts5934)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути

С. В. Гудинаa, В. Н. Неверовa, Е. В. Ильченкоa, А. С. Боголюбскийa, Г. И. Харусa, Н. Г. Шелушининаa, С. М. Подгорныхab, М. В. Якунинab, Н. Н. Михайловcd, С. А. Дворецкийce

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Новосибирский государственный университет
e Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация: Измерены магнитополевые (0 $<B<$ 9 Тл) зависимости продольного и холловского сопротивлений при фиксированных температурах (2 $<T<$ 50 K) для системы HgCdTe/HgTe/HgCdTe с квантовой ямой HgTe шириной 20.3 нм. Активационный анализ кривых магнитосопротивления был использован в качестве инструмента для определения щелей подвижности между соседними уровнями Ландау. Значения энергии активации, полученные из температурных зависимостей продольного сопротивления в областях плато квантового эффекта Холла с факторами заполнения $v$ = 1,2,3, позволили сделать оценки эффективной массы и $g$-фактора электронов в исследуемой системе. Получены указания на возможность больших значений $g$-фактора ( $\cong$ 80).
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201463326
Уральское отделение Российской академии наук 15-9-2-21
Работа выполнена в рамках государственного задания по теме “Электрон” № 01201463326, при поддержке программы ФИ УрО РАН, 15-9-2-21.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 12–18
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 16–22; Semiconductors, 52:1 (2018), 12–18
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudNevIlc18}
\by С.~В.~Гудина, В.~Н.~Неверов, Е.~В.~Ильченко, А.~С.~Боголюбский, Г.~И.~Харус, Н.~Г.~Шелушинина, С.~М.~Подгорных, М.~В.~Якунин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 16--22
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5934}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45312.39}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982777}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 12--18
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010098}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5934
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p16
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024