|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 766–772   |
|
2020 |
| 2. |
А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1150–1157 ; A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 |
2
|
| 3. |
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715 ; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 |
6
|
|
2018 |
| 4. |
С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации”, Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018), 371–377 ; S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Visible emission from a dense biexciton gas in SiGe/Si quantum wells under external anisotropic strain”, JETP Letters, 107:6 (2018), 358–363   |
| 5. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1599–1604 ; N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 |
10
|
| 7. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
|
2016 |
| 8. |
В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, В. С. Лебедев, М. Л. Скориков, Е. В. Уцина, М. В. Кочиев, “Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016), 229–234 ; V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, V. S. Lebedev, M. L. Skorikov, E. V. Utsina, M. V. Kochiev, “Plasmonic enhancement of four-particle radiative recombination in SiGe quantum wells”, JETP Letters, 104:4 (2016), 231–235 |
3
|
| 9. |
С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016), 161–166 ; S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Fine structure of the emission spectrum of a two-dimensional electron-hole liquid in SiGe/Si quantum wells”, JETP Letters, 104:3 (2016), 163–168 |
17
|
| 10. |
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689 ; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 |
1
|
| 11. |
А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин, “Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1657–1661 ; A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin, “Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1630–1634 |
1
|
| 12. |
А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, “Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1629–1633 ; A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608 |
| 13. |
Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1532–1536 ; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 |
2
|
| 14. |
В. Б. Шмагин, С. Н. Вдовичев, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1497–1500 ; V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478 |
|
Обратная связь: