Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 3, страницы 161–166
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16150042 (Mi jetpl5013) 		 
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах

С. Н. Николаевa, В. С. Кривобокa, В. С. Багаевa, Е. Е. Онищенкоa, А. В. Новиковbc, М. В. Шалеевc

a Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (540 kB) Список цитирования (17)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16150042
Аннотация: Экспериментально обнаружена тонкая структура спектра излучения квазидвумерной (2D) электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в мелких SiGe/Si квантовых ямах. Дано объяснение этой структуры на основе представлений о скачках в плотности состояний, возникающих за счет сосуществования в ЭДЖ легких и тяжелых дырок, и о взаимодействии носителей заряда с колебаниями зарядовой плотности в ЭДЖ.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00273
Российский фонд фундаментальных исследований 14-02-01098_а
15-02-08540_а
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-4504.2015.2
Работа выполнена при финансовой поддержке грантов РНФ 14-22-00273 (разделы 3, 4), РФФИ 14-02-01098 А и 15-02-08540 А и Гранта Президента МК-4504.2015.2.
Поступила в редакцию: 07.06.2016
Исправленный вариант: 20.06.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 3, Pages 163–168
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016150121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016), 161–166; JETP Letters, 104:3 (2016), 163–168
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikKriBag16}
\by С.~Н.~Николаев, В.~С.~Кривобок, В.~С.~Багаев, Е.~Е.~Онищенко, А.~В.~Новиков, М.~В.~Шалеев
\paper Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 3
\pages 161--166
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5013}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16150042}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26463492}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 3
\pages 163--168
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016150121}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000386674600004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84991758909}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5013
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i3/p161
    • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:188
    PDF полного текста:32
    Список литературы:40
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024